造芯片为什么比造原子弹还困难?看完视频你就明白了。想要制造芯片,首先需要制造的就是晶源。将沙子在1800°左右的高温下融化,经过晶链去杂质后放入硼,硼可以改变晶元导电性。然后继续加热,并向液态硅中放入紫晶,当紫晶与高温的液态硅接触时,液态硅表面的温度会瞬间下降,当不断旋转上拉时,液态硅就会粘在紫晶身上并不断凝固,最终就能得到一根高纯度的规定了。接着将规定切割成一块块厚度小于1mm的晶圆,切割后的晶圆表面并不平整,还需要进行打磨、抛光等一系列工序,之后就得到一块极其平整的硅晶元了。由于晶圆非常娇贵,为了避免污染,还需要加上一层氧化膜,这就需要进行氧化,这是氧化设备,晶片每25张装在一个盒子内,然后自动导轨将晶片送入氧化设备内,机械臂会将晶片放入相应的位置上。接着开始进行氧化收。先需要向设备内部注入氧气,周围线圈会不停的释放热量,达到一定温度,氧原子就会与晶圆表面进行反应,形成一层绝缘的二氧化硅。接下来就是光刻了,这也是芯片制造最难的步骤。光刻之前需要进行涂胶,首先将制造好的硅晶元转移到涂胶设备上,借助机器旋转的离心力,在晶圆上均匀的涂上一层光刻胶。涂胶完成后,接下来就是光刻环节了。这是一台EUV光刻机,是人类制造的最精密复杂的机器之一。光刻机使用的是极子外光,此外光通过多个镜头反射后会逐渐缩小,接着光线通过光眼膜照射到底部晶圆的光刻胶上。光眼膜跟这个喷焊字的东西原理一样,上面刻有集成电路图形,当光线穿过光眼膜时,就会将光眼膜上的电路图形雕刻到光刻胶上,在光的照射下,光刻胶上的化学物质开始发生反应,见光的地方光刻胶会变成可溶解状态。接下来要做的就是显影时。这将晶元浸泡在显影溶液中,可溶解状态的光刻胶就会被冲洗掉,而不见光的光刻胶部分则留了下来。但是通过显影电路图还只是停留在光刻胶层面。怎么将电路雕刻在晶片上面呢?这就要用到刻室。最常用的刻石是干法刻室,这是一台石刻机,将弦影处理后的晶片放入进去,接着将四氟化碳和氧气一等离子体的形式放入十刻剂内部,等离子体会与晶片表面发生化学反应,而有光刻胶的地方则不会发生反应。这样一来,眼膜上的图形就被雕刻到芯片上了。但是芯雕刻的地方氧化膜被蚀刻掉了,怎么办呢?这就要用到芯片沉积技术了。首先将氢原转移到沉积设备上,然后通入四氢化硅气体,并施加等离子体控制反应气压和温度,这样氢原子就会自动脱离,只留下硅原子沉积下来,通过反应后就能生成一层保护规模了。另外,为了提高芯片的电学性质,还需要进行离子注入。用高能量的电场将离子加速后直接打入晶元内部,离子注入就完成了。到目前为止,我们已经在晶圆上盖了很多房子,怎么将他们连通呢?这就要进行金属填充,而芯片有上百亿这样的房子需要连通内部宛如一座超大型城市。真实的芯片制造远远比这复杂很多倍,有着非常多的工艺,所有工艺都是在纳米级别进行操作,这些工艺交叉重复完成,最终制造出整个晶圆,然后将晶元切割成一个个小芯片,接着进行封装测试,测试通过芯片就能安装在电子产品上使用了。
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